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Gallium arsenide single crystal(갈륨비소단결정)
Gallium arsenide single crystal
화학식 : GaAs, 분자량 144.64
성상 : 입방 결정, 외관은 금속성 광채를 띤 진한 회색, 융점 1238℃, 경도 4.5, 열팽창계수 5.9×10-6, 열전도율(W/cm·deg)0.52, 밀도(D425) 5.31
용도 : GaAs의 용도는 다양하여 주로 LED(Light Emission Diode), GaAs IC, FET(Field Effect Transistor)등 이외에 LD레이져, Hall sensor 소자 등에 사용되고 있고, 최근 태양전지 개발에 그 응용이 기대되고 있다.
제법 : ① HB법(Horizontal Bridgeman Process) : 1960년대에 개발된 GaAs 단결정 육성법으로 Ga와 As를 담은 석영 boat를 석영관내에 진공 봉입한 후 수평으로 설치하여 용해시킨다. 그 다음 GaAs의 종결정을 용액에 부착시킨 후 As증기 분위기에서 결정을 육성시킨다. 이 때 승온탑을 움직여서 종결정부터 서서히 온도를 저하시켜 단결정을 육성한다.
② LEC법(Liquid Encapsulation Czochralski Process) : IC용 GaAs 결정육성법으로 최근에 주목받고 있는 방법으로 As의 증기압이 높기 때문에 액상의 산화붕소(B2O3)로 GaAs 용액을 봉지하고 불활성가스로 가압하여 결정을 인상한다.
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